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NVIDIA, líder en chips de IA, y TSMC están impulsando recientemente una transformación de la cadena de suministro de HBM (memoria de alto ancho de banda), lo que ha despertado la preocupación de la industria surcoreana de semiconductores. Según informó el diario surcoreano JoongAng Ilbo el 9 de noviembre, a medida que aumenta la influencia de NVIDIA en el diseño de HBM y la elección de los procesos de fabricación, si las empresas surcoreanas no logran mantener su posición en aspectos clave como los chips de base (Base Die), la unión híbrida (Hybrid Bonding) y la disipación del calor, SK Hynix y Samsung podrían acabar relegadas al papel de «subcontratistas de las etapas posteriores», limitándose a suministrar celdas DRAM. El valor de la industria de la memoria se está desplazando silenciosamente hacia NVIDIA y TSMC.

¿TSMC evalúa fabricar DRAM 3D a petición de NVIDIA? La empresa desmiente rápidamente los rumores

Según informaciones de medios extranjeros, recientemente surgieron rumores de que TSMC evalúa producir DRAM 3D de próxima generación a petición de NVIDIA, y que podría construir una nueva fábrica o adquirir instalaciones existentes para reconvertirlas. Tras difundirse la noticia, al día siguiente TSMC declaró que seguirá centrándose en su negocio principal de fundición de obleas.

Como TSMC también es un socio clave en la producción de HBM de SK Hynix, sus declaraciones se interpretaron como una reafirmación del principio empresarial de «no competir con los clientes». Sin embargo, analistas del sector surcoreano consideran que, a la luz de una serie de movimientos recientes de NVIDIA, es difícil ver este episodio como un simple incidente aislado.

(¿NVIDIA impulsa NVHBM para abaratar la HBM? Analistas temen que los grandes fabricantes de memoria pierdan poder de negociación)

NVIDIA entra en el diseño de memoria: NVHBM y Base Die de 3 nm

En agosto de este año, NVIDIA presentó «NVHBM», una memoria personalizada que integra su propio controlador de memoria en el Base Die. El Base Die es el chip situado en la capa inferior de una pila HBM y encargado del control de la memoria. Además, el mes pasado surgieron rumores de que NVIDIA pidió a Samsung Electronics, SK Hynix y Micron que fabricaran el Base Die con el proceso de 3 nm de TSMC.

(¡Samsung cedió! Según los rumores, acepta la petición de NVIDIA de fabricar los chips NVHBM con el proceso de 3 nm de TSMC)

Para NVIDIA, diseñar por cuenta propia la estructura y la interfaz de la memoria permite mejorar el rendimiento y reducir la dependencia de proveedores específicos. Para TSMC, dado que necesita obtener HBM para fabricar GPU, aumentar su influencia en la producción de memoria puede reducir el riesgo de interrupciones en los envíos de GPU y permitirle captar una mayor parte de la cadena de suministro de chips de IA.

Un académico analiza cuatro vías para TSMC: captar valor añadido sin construir fábricas de DRAM

Kwon Seok-joon, profesor del Departamento de Ingeniería Química de la Universidad de Sungkyunkwan, explica que TSMC puede entrar en los segmentos de mayor valor añadido de la industria de la memoria por cuatro vías, sin necesidad de construir sus propias fábricas de DRAM:

Ampliar la fabricación de Base Die

Liderar el apilamiento y la integración mediante la unión híbrida

Colaborar con fabricantes taiwaneses de DRAM

Fabricar los circuitos periféricos de la DRAM 3D

La unión híbrida es clave. Cuando el número de capas apiladas de HBM se acerque a las 20, la unión híbrida —que conecta directamente los chips sin usar microbumps— cobrará aún más importancia. Si TSMC también asume este proceso, aunque SK Hynix siga suministrando los chips centrales de DRAM (Core Die), NVIDIA y TSMC conservarán el control del diseño y la fabricación del producto final, lo que alterará el equilibrio de poder en la cadena de suministro.

Un antiguo alto cargo de SK Hynix advirtió que, a medida que la HBM avance hacia más de 20 capas, si los fabricantes surcoreanos no logran controlar el Base Die, la unión y el tratamiento térmico, los dos mayores fabricantes de memoria del país podrían acabar relegados a contratistas de nivel inferior que solo suministran celdas DRAM.

La última línea de defensa de Corea del Sur: hacerse con el codiseño y la producción en masa de la unión híbrida

Ante la doble presión de NVIDIA y TSMC, Kwon Seok-joon recomienda que las empresas surcoreanas establezcan su última línea de defensa en dos objetivos: primero, convertirse en codiseñadoras del Base Die; segundo, lograr capacidad de producción en masa de unión híbrida antes que TSMC. También deberían ampliar su cartera de clientes de HBM personalizada para incluir a Google, AMD y Meta, entre otros, con el fin de preservar su soberanía de diseño más allá de NVIDIA.

Por su parte, Kim Yong-seok, director del Instituto de Educación en Semiconductores de la Universidad de Gachon, afirmó sin rodeos que en los negocios no hay amigos ni aliados para siempre. Instó al mundo académico a reforzar la investigación básica en empaquetado 2.5D/3D, interfaces HBM y diseño de sistemas de memoria de alto rendimiento. También señaló que el Gobierno debería apoyar la formación de talento y el desarrollo de infraestructuras para el diseño integrado de lógica y memoria.

Este artículo, «¿El control del diseño de memoria pasa a NVIDIA y TSMC? Samsung y SK Hynix podrían quedar relegados a fabricantes subcontratados», apareció originalmente en 。

【Análisis ampliado】

【Mi opinión ampliada】

Esta tendencia revela un cambio de paradigma en la cadena de suministro de hardware de IA, que pasa del «ensamblaje de componentes estándar» a la «personalización profunda y el empaquetado avanzado». El valor central de HBM ha dejado de residir exclusivamente en las celdas de memoria DRAM y se ha trasladado al control lógico (Base Die) y al empaquetado avanzado (unión híbrida). NVIDIA lidera la definición de las especificaciones estructurales y TSMC asume los procesos de mayor valor añadido, lo que está redefiniendo la distribución del valor de los chips. Si los fabricantes surcoreanos pierden el control del diseño del Base Die y del empaquetado, los gigantes de la memoria se enfrentarán al riesgo de convertirse en proveedores de productos básicos (commoditization), y sus márgenes brutos podrían erosionarse.

【Impacto en el mercado】

* **Acciones estadounidenses:**

* **NVIDIA (NVDA, perspectiva positiva):** El desarrollo interno de NVHBM y el control del Base Die refuerzan su dominio de la cadena de suministro y reducen los costes de compra, lo que favorece el mantenimiento de márgenes brutos elevados a largo plazo.

* **Micron (MU, neutral con sesgo bajista):** Si el poder de negociación pasa a manos de los gigantes del diseño de circuitos integrados y la fundición, el margen para que los grandes fabricantes de memoria cobren una prima podría verse limitado.

* **Acciones taiwanesas:**

* **TSMC (2330/TSM, perspectiva positiva):** Sin asumir la enorme inversión de capital necesaria para construir una fábrica de DRAM, puede captar los pedidos de alto margen de Base Die de 3 nm y unión híbrida, lo que consolidaría aún más su posición dominante en la fundición para IA.

* **Cadena de suministro de empaquetado avanzado y equipos (perspectiva positiva):** A medida que aumenta la importancia de la unión híbrida, los fabricantes de equipos y materiales consumibles relacionados con el empaquetado avanzado podrían beneficiarse de una nueva ola de pedidos.

* **Criptomonedas:**

* **Tokens relacionados con la IA (como RENDER, FET y NEAR, neutral con sesgo alcista):** Una mayor eficiencia de cálculo y menores costes en la infraestructura de hardware favorecerán a largo plazo la expansión de la computación descentralizada para IA y de su ecosistema de aplicaciones.

【Qué observar a continuación】

1. Antes de alcanzar la producción en masa de HBM de más de 20 capas, ¿podrán Samsung y SK Hynix mejorar con éxito el rendimiento de la unión híbrida y mantener su posición dominante?

2. El avance de NVHBM de NVIDIA y si grandes empresas tecnológicas como Google y Meta también adoptarán soluciones HBM personalizadas.

【Advertencia sobre riesgos】

Si los organismos reguladores antimonopolio prestan atención al dominio excesivo de NVIDIA y TSMC en la cadena de suministro de IA, o si el rendimiento del nuevo proceso de unión híbrida mejora menos de lo esperado, podrían surgir riesgos a corto plazo para la implementación de la tecnología y fluctuaciones en las cotizaciones de las acciones relacionadas.