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#SKHynixToInvest19.1TWonInM17Plant 🚨 A SK Hynix Expande a Infraestrutura de IA com um Investimento Massivo de 54,3 Trilhões de Won! 🚀
O gigante global de semicondutores SK Hynix aprovou oficialmente um investimento total massivo de 54,3 trilhões de KRW (~US$ 38,3 bilhões) para ampliar sua capacidade de produção de memória para IA!
Aqui estão os principais destaques do anúncio:
📌 Principais pontos
🏭 Fábrica Cheongju M17: 19,1 trilhões de Won (~US$ 13,5B) alocados para construir a planta M17 em Cheongju, com foco em NAND flash de próxima geração e SSDs corporativos (eSSDs). As obras começam em fevereiro de 2027, com operações previstas para dezembro de 2028.
🏬 Fábrica Yongin Y2: 35,2 trilhões de Won (~US$ 24,8B) alocados para a instalação Y2 em Yongin para ampliar a Memória de Banda Larga (HBM) e DRAM avançada. Operações previstas para junho de 2029.
📈 Motor de crescimento: pesquisas de mercado projetam que a demanda por DRAM e NAND cresça a um CAGR de 19% até 2030, impulsionada pela expansão implacável das cargas de trabalho de computação de IA.
💡 Por que isso importa para os mercados de Tecnologia e Cripto
Boom da infraestrutura de IA: chips de memória (HBM e eSSDs) são o principal gargalo para treinar e executar modelos de IA de próxima geração e protocolos descentralizados de computação de IA.
Demanda de longo prazo: essa mudança estrutural destaca que a demanda por hardware para infraestrutura de IA e Web3 está acelerando no longo prazo — e não apenas um ciclo curto de hype.
O que você acha da expansão agressiva da SK Hynix em memória para IA? Deixe seus comentários abaixo! 👇
#SKHynixToInvest19.1TWonInM17Plant #CryptoNews #AI #Semiconductors #BinanceSquare
O gigante global de semicondutores SK Hynix aprovou oficialmente um investimento total massivo de 54,3 trilhões de KRW (~US$ 38,3 bilhões) para ampliar sua capacidade de produção de memória para IA!
Aqui estão os principais destaques do anúncio:
📌 Principais pontos
🏭 Fábrica Cheongju M17: 19,1 trilhões de Won (~US$ 13,5B) alocados para construir a planta M17 em Cheongju, com foco em NAND flash de próxima geração e SSDs corporativos (eSSDs). As obras começam em fevereiro de 2027, com operações previstas para dezembro de 2028.
🏬 Fábrica Yongin Y2: 35,2 trilhões de Won (~US$ 24,8B) alocados para a instalação Y2 em Yongin para ampliar a Memória de Banda Larga (HBM) e DRAM avançada. Operações previstas para junho de 2029.
📈 Motor de crescimento: pesquisas de mercado projetam que a demanda por DRAM e NAND cresça a um CAGR de 19% até 2030, impulsionada pela expansão implacável das cargas de trabalho de computação de IA.
💡 Por que isso importa para os mercados de Tecnologia e Cripto
Boom da infraestrutura de IA: chips de memória (HBM e eSSDs) são o principal gargalo para treinar e executar modelos de IA de próxima geração e protocolos descentralizados de computação de IA.
Demanda de longo prazo: essa mudança estrutural destaca que a demanda por hardware para infraestrutura de IA e Web3 está acelerando no longo prazo — e não apenas um ciclo curto de hype.
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