ETF global de armazenamento inclui a ChangXin Technology; a principal empresa de DRAM da China recebe atenção do capital internacional
Redução da participação na Samsung, entrada na ChangXin e planejamento de ativos de armazenamento até 2028.
Notícia do BlockBeats: em 3 de agosto, o primeiro ETF global exclusivamente temático de memória — o Roundhill Memory ETF (DRAM) — concluiu a mais recente reconfiguração de carteira. A empresa chinesa de DRAM ChangXin Technology (长鑫科技) foi incluída entre as dez principais participações, com peso de 2,52%, ficando como a 8ª maior ação entre os holdings.
Os dados mostram que, sob a sincronização de DRAM, a participação da empresa de armazenamento listada na A-shares, Zhaoxin (兆易创新), foi reduzida no ETF. Seu peso caiu de 2,91% para 1,51%, e sua classificação desceu para a 10ª posição. A ChangXin Technology (长鑫科技) tornou-se o ativo de armazenamento chinês com maior peso nesse ETF.
Analistas do mercado afirmam que a inclusão da ChangXin Technology (长鑫科技) em um ETF global temático de armazenamento indica que o capital internacional começa a prestar mais atenção ao desenvolvimento da indústria chinesa de DRAM. Atualmente, a ChangXin Technology já aparece na mesma carteira de investimentos que fornecedores globais de armazenamento, como Samsung Electronics, Micron Technology e SK hynix (SK 海力士).