L’offensive de la Chine sur la HBM resserre l’offre de DRAM de commodité, au lieu de la desserrer.
CXMT réoriente davantage de capacité de 12 pouces vers le développement de la HBM lié à Huawei. TrendForce estime une production en fin d’année proche de 300 000–350 000 wafers par mois. L’ancienne crainte était que des inondations de wafers chinois ne fassent déferler du DDR4 et du DDR5 bon marché. C’est l’inverse qui se produit.
La HBM consomme bien davantage de silicium. Die plus grands, empilements 8-high ou 12-high, complexité du packaging en TSV : une HBM finie peut engloutir trois à quatre fois la surface wafer d’une DRAM standard.
Sans EUV, CXMT s’appuie sur du DUV avec multi-marquage. Les rendements en front-end tournent 40%+ en dessous de ceux de leurs pairs coréens. Les rendements de packaging tournent autour de 50%. Ce duo fait brûler les wafers rapidement pour chaque pile HBM conforme.
Si ces wafers s’écartent de la DRAM de génération précédente, la Chine expédie moins de DDR4/DDR5 bon marché dans les téléphones et les PC.
TrendForce prévoit que les contrats de DRAM de commodité en S2 augmentent encore de 13–18% en variation trimestrielle (QoQ). Les fabricants de modules qui voulaient une option chinoise à bas coût reviennent vers Samsung et SK Hynix.
Le paradoxe est net : tenter de s’auto-fournir en HBM sans EUV et avec un packaging encore peu mature réduit l’offre même de commodité qui était censée affaiblir la Corée.
La mémoire coréenne s’y retrouve des deux côtés : une HBM premium là où elle conserve son avance, et des prix plus fermes sur les segments que CXMT ne inonde plus.
CXMT réoriente davantage de capacité de 12 pouces vers le développement de la HBM lié à Huawei. TrendForce estime une production en fin d’année proche de 300 000–350 000 wafers par mois. L’ancienne crainte était que des inondations de wafers chinois ne fassent déferler du DDR4 et du DDR5 bon marché. C’est l’inverse qui se produit.
La HBM consomme bien davantage de silicium. Die plus grands, empilements 8-high ou 12-high, complexité du packaging en TSV : une HBM finie peut engloutir trois à quatre fois la surface wafer d’une DRAM standard.
Sans EUV, CXMT s’appuie sur du DUV avec multi-marquage. Les rendements en front-end tournent 40%+ en dessous de ceux de leurs pairs coréens. Les rendements de packaging tournent autour de 50%. Ce duo fait brûler les wafers rapidement pour chaque pile HBM conforme.
Si ces wafers s’écartent de la DRAM de génération précédente, la Chine expédie moins de DDR4/DDR5 bon marché dans les téléphones et les PC.
TrendForce prévoit que les contrats de DRAM de commodité en S2 augmentent encore de 13–18% en variation trimestrielle (QoQ). Les fabricants de modules qui voulaient une option chinoise à bas coût reviennent vers Samsung et SK Hynix.
Le paradoxe est net : tenter de s’auto-fournir en HBM sans EUV et avec un packaging encore peu mature réduit l’offre même de commodité qui était censée affaiblir la Corée.
La mémoire coréenne s’y retrouve des deux côtés : une HBM premium là où elle conserve son avance, et des prix plus fermes sur les segments que CXMT ne inonde plus.
