20. September: 长鑫存储 (CXMT) gibt die Serienproduktion der 5. Generation der $DRAM -Plattform bekannt. Wichtige Strukturabstände sinken auf 11,95 nm; ausgehend von 8-Gb-Chips steigt die Anzahl der dies pro Wafer (Rohewafers, „good die minus defekt“), vor mindestens 50%; zwei 24-Gb-LPDDR5X-Modelle sind bereits in Serienproduktion, die Kapazität liegt im Vergleich zu Vorgängern derselben Produktklasse um 50% höher
Die in dieser Mitteilung offengelegten Produkte für die Serienproduktion sind LPDDR5X, hauptsächlich für Mobiltelefone und tragbare Geräte; Informationen zur Serienproduktion von HBM sind nicht aufgetaucht.
MU muss kurzfristig weiterhin den Wettbewerb bei Preis, Anteil und Kosten für mobile DRAM-Produkte aushalten. Bei der Logik-Speicherausstattung in KI-Servern hängt es weiterhin von der HBM-Kundenfreigabe, dem Versand und dem Verhältnis von Angebot und Nachfrage ab.
Noch ein Detail: „Anzahl der Dies +50%“ tritt auf, bevor Ausschussware entfernt wird; das kann man nicht direkt als „verkaufsfähige Stückzahl +50%“ lesen.
#美光 #长鑫存储 #存储芯片
Die in dieser Mitteilung offengelegten Produkte für die Serienproduktion sind LPDDR5X, hauptsächlich für Mobiltelefone und tragbare Geräte; Informationen zur Serienproduktion von HBM sind nicht aufgetaucht.
MU muss kurzfristig weiterhin den Wettbewerb bei Preis, Anteil und Kosten für mobile DRAM-Produkte aushalten. Bei der Logik-Speicherausstattung in KI-Servern hängt es weiterhin von der HBM-Kundenfreigabe, dem Versand und dem Verhältnis von Angebot und Nachfrage ab.
Noch ein Detail: „Anzahl der Dies +50%“ tritt auf, bevor Ausschussware entfernt wird; das kann man nicht direkt als „verkaufsfähige Stückzahl +50%“ lesen.
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